kw.\*:("FAISCEAU ION")
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RENDEMENT DE PULVERISATION DANS LE CAS DE LA PULVERISATION PAR FAISCEAU D'IONSHOSAKA S; KANOMATA I; HASHIMOTO S et al.1975; J. VACUUM SOC. JAP.; JAP.; DA. 1975; VOL. 18; NO 11; PP. 384-391; ABS. ANGL.; BIBL. 20 REF.Article
IONENSTRAHLSCHWEISSEN. = SOUDAGE PAR FAISCEAU D'IONSWIESNER P.1975; Z.I.S. MITT.; DTSCH.; DA. 1975; VOL. 17; NO 1; PP. 68-70; BIBL. 6 REF.Article
LITHIUM-ION-BEAM EXPOSURE OF PMMA-LAYERS WITHOUT PROXIMITY-EFFECTSPEIDEL R; BEHRINGER U.1980; OPTIK; DEU; DA. 1980; VOL. 54; NO 5; PP. 439-444; ABS. ENG; BIBL. 3 REF.Article
HOMOGENEITE DU FAISCEAU ET INFLUENCE DE LA VARIATION DES DIFFERENTS PARAMETRES DE FONCTIONNEMENT SUR L'UTILISATION D'UN USINEUR IONIQUE THOMSONPERE JF.1974; VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL; PP. 270-277; BIBL. 2 REF.; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVEME CONGR. INT. AVISEM 74; TOULOUSE; 1974)Conference Paper
INTERPENETRATING SOLAR WIND STREAMS.FELDMAN WC; ASBRIDGE JR; BAME SJ et al.1974; REV. GEOPHYS. SPACE PHYS.; U.S.A.; DA. 1974; VOL. 12; NO 4; PP. 715-723; BIBL. 47 REF.Article
ION BEAM TECHNOLOGY APPLIED TO ELECTRON MICROSCOPYFRANKS J.1978; ADV. ELECTRON. ELECTRON PHYS.; USA; DA. 1978; VOL. 47; PP. 1-50; BIBL. 3 P.Article
SIMPLE ACCELERATOR BEAM POSITION MONITORSNOWDON KJ; BARBER CH.1979; J. PHYS. E; ISSN 0022-3735; GBR; DA. 1979; VOL. 12; NO 10; PP. 923Article
DETERMINATION SEMI-EMPIRIQUE DES ETATS DE CHARGES D'UN FAISCEAU D'IONS RAPIDES (Z <OU= 18)KY KUAN TO; DROUIN R.1979; NUCL. INSTRUM. METHODS; NLD; DA. 1979; VOL. 160; NO 3; PP. 461-463; ABS. ENG; BIBL. 9 REF.Article
PROBLEMES CONTEMPORAINS DE LA PHYSIQUE DES FAISCEAUX ELECTRONIQUES ET IONIQUES PUISSANTSDIDENKO AN.1979; IZV. VYSS. UCEBN. ZAVED., FIZ.; ISSN 0021-3411; SUN; DA. 1979; VOL. 22; NO 10; PP. 5-6Article
MASK PREPARATION FOR SMALL DIMENSION ION MILLING BY TWO STEP LIFT-OFF PROCESS.WADA O; YAMAMOTO S; KOBAYASHI K et al.1977; J. ELECTROCHEM. SOC.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 124; NO 6; PP. 959-960; BIBL. 4 REF.Article
APPLICATION OF ION BEAM TECHNIQUE TO MICROMACHINING = APPLICATION DE LA TECHNIQUE DU FAISCEAU IONIQUE AU MICRO-USINAGENAKAI T; OHMAE N; MIYAWAKI T et al.1976; BULL. JAP. SOC. PRECIS. ENGNG.; JAP.; DA. 1976; VOL. 9; NO 5; PP. 157-162; BIBL. 11 REF.Article
ELECTRODE POUR PULVERISATION IONIQUE H.FDOROZHKO EV; SAVITSKIJ VG.1975; PRIBORY TEKH. EKSPER.; S.S.S.R.; DA. 1975; NO 1; PP. 236-237; BIBL. 3 REF.Article
LES DIVERS ASPECTS DE L'USINAGE IONIQUE APPLIQUE AUX SYSTEMES METALLIQUES DES TRANSISTORS BIPOLAIRES HYPERFREQUENCES.PESTIE JP; DUMONTET H; ANDRIEU JP et al.1974; VIDE; FR.; DA. 1974; NO 171 SUPPL.; PP. 161-170; BIBL. 7 REF.; (APPL. PROCESSUS ELECTRON. IONIQUES. IVEME CONGR. INT. AVISEM 74; TOULOUSE; 1974)Conference Paper
A SIMPLE INEXPENSIVE BENDING MAGNET SYSTEM FOR VERY LOW ENERGY ION BEAMS. = SYSTEMES D'AIMANTS DE COURBURE, SIMPLE ET PEU CHER, POUR FAISCEAUX D'IONS DE TRES FAIBLE ENERGIEWARD TR; JIGGINS AH.1974; J. PHYS. E; G.B.; DA. 1974; VOL. 7; NO 7; PP. 520-521; BIBL. 1 REF.Article
GLASS MACHINING BY ION SPUTTERINGBAYLY AR; TOWNSEND PD.1972; J. PHYS. D; G.B.; DA. 1972; VOL. 5; NO 11; PP. L103-L104; BIBL. 7 REF.Serial Issue
ION BEAM STUDIES. VI. THE PRODUCTION OF HEAVY ION BEAMS.FREEMAN JH; CHIVERS DJ; GARD GA et al.1977; NUCL. INSTRUM. METHODS; NETHERL.; DA. 1977; VOL. 145; NO 3; PP. 473-505; BIBL. 15 REF.Article
ION BEAM PROFILE MONITOR.EERNISSE EP; PETERSON GD; SCHUELER DG et al.1975; REV. SCI. INSTRUM.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 46; NO 3; PP. 266-268Article
SYMPOSIUM ON ELECTRON, ION AND PHOTON BEAM TECHNOLOGY. 13. PROCEEDINGS; COLORADO SPRINGS; 1975.1975; J. VACUUM SCI. TECHNOL.; U.S.A.; DA. 1975; VOL. 12; NO 6; PP. (335P.); BIBL. DISSEM.Conference Paper
ETUDE DE LA PRODUCTION DE FAISCEAUX IONIQUES DANS UNE DIODE VIDEBUGAEV SP; KOSHELEV VI; TIMOFEEV MN et al.1975; IZVEST. VYSSH. UCHEBN. ZAVED., FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1975; VOL. 18; NO 2; PP. 35-37; BIBL. 6 REF.Article
THE BASIC PRINCIPLES OF ION PLATING.CARPENTER R.1974; IN: SCI. TECHNOL. SURF. COATING. NATO ADV. STUDY INST.; LONDON; 1972; LONDON; ACAD. PRESS; DA. 1974; PP. 393-403; BIBL. 17 REF.Conference Paper
THEORETICAL AND EXPERIMENTAL STUDY OF THE DUOPLASMATRON ION SOURCE. II. EMISSIVE PROPERTIES OF THE SOURCE.LEJEUNE C.1974; NUCL. INSTRUM. METHODS; NETHERL.; DA. 1974; VOL. 116; NO 3; PP. 429-443; BIBL. 24 REF.Article
PRODUCTION DE FAISCEAUX IONIQUES IMPULSIONNELS DANS UNE DIODE DE PLASMA A COURANT INTENSETSKHADAYA BA; PLYUTTO AA; SULADZE KV et al.1974; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 44; NO 8; PP. 1779-1780; BIBL. 8 REF.Article
SUR LA PURIFICATION GAZOCINETIQUE D'UN FAISCEAU D'IONS DES MOLECULES NEUTRESIVANOV VP.1974; ZH. TEKH. FIZ.; S.S.S.R.; DA. 1974; VOL. 44; NO 2; PP. 380-386; BIBL. 5 REF.Article
EFFICACY OF ION POLISHING OPTICAL SURFACES.HOUSE RA II; BETTIS JR; GUENTHER AH et al.1977; APPL. OPT.; U.S.A.; DA. 1977; VOL. 16; NO 6; PP. 1486-1488; BIBL. 21 REF.Article
COAXICAL SWEEP SCHEME FOR ION-BEAM LASERS.SEELY JF; LOUISELL WH; BOUSEK RR et al.1976; I.E.E.E. J. QUANTUM ELECTRON.; U.S.A.; DA. 1976; VOL. 12; NO 8; PP. 515-517; BIBL. 4 REF.Article